盘锦石化ABS275通用级聚苯乙烯
随着尺寸微缩，高介电常数材料取代传统的二氧化硅(sio2)介电层，不仅可以维持足够的的驱动电流，且可以在保持相同等效氧化层厚度(eckness,eot)的情况下增加氧化层的实际物理厚度。
高介电常数材料虽具有较高的介电常数，较高的电容值，但其禁带宽度较窄，具有高漏电的缺点，所以解决高漏电的问题为现阶段急迫的问题。
现有的一种高介电常数材料的制备方法如图1所示，首先提供一基板101，于所述基板上诱电介质材料102。
但是，单一的高介电常数材料虽具有较高的介电常数，但其通常具有较高的漏电，因此，通常所述诱电介质材料与抗漏电的介质材料会交替分布使用，如图2所示，首先提供一基板101，于所述基板上形成诱电介质材料102；接着，在所述诱电介质材料102上形成抗漏电的介质材料103，以抑制所述诱电介质材料102的漏电情况。然而，这种抗漏电的介质材料，其介电常数通常较低，会导致整体的介质层的介电常数的降低。
一定程度上获得低漏电的诱电介质材料，但是，其需由两层介质材料交叠而成，造成其厚度需要设计得比较厚，导致其牺牲了一部分的电容值，并不利于等效氧化层厚度的降低，阻碍了器件尺寸的微缩。
基于以上所述，提供一种低漏电且低厚度的诱电介质材料结构及其制作方法实属必要。
一种介电薄膜的制作方法，所述制作方法包括步骤：1)提供一基面；2)于所述基面上形成羟基(oh键)；以及3)在所述基面上进行原子层沉积(atomiclayerdeposition,ald)，先后通入包括前驱体及第二前驱体的至少两种前驱体，先通入的所述前驱体与所述羟基(oh键)的部分产生化学吸附并反应形成诱电介电材料，后通入的所述第二前驱体与所述羟基(oh键)的第二部分产生化学吸附并反应形成抗漏电流介电材料，以形成高介电常数且抗漏电流的二元或多元介电薄膜在一原子层沉积层中。
