盘锦石化聚丙烯RP344Y-K
提供一种金属薄膜沉积方法，用于解决现有技术中完成金属薄膜沉积的晶圆因金属活性和/或晶圆的余热，导致晶圆裸露在空气中时，容易在金属薄膜表面生成金属氧化物薄膜，导致薄膜性能下降，且给后续的
所述金属薄膜沉积方法包括步骤：提供待沉积的基底，对所述基底进行清洁后置于真空腔体内；待真空腔体内升温至预设温度后，于所述基底表面沉积金属薄膜；在同一真空腔体中于金属薄膜表面沉积硅薄膜，所述硅薄膜用于防止所述金属薄膜被氧化；其中，所述预设温度与硅薄膜沉积过程中的温度相同。
形成所述金属薄膜和/或形成所述硅薄膜后，还包括采用惰性气体对得到的结构进行吹扫的步骤。
所述惰性气体包括氩气，惰性气体的流量为500sccm-8000sccm。
对基底进行清洁的过程包括采用去离子水，无水酒精，丙酮，无水酒精和去离子水依次对基底清洗5分钟，然后烘干的步骤。
所述钼薄膜的沉积方法为，待真空腔体内升温至硅薄膜的沉积温度后，向真空腔体内通入反应物moo2cl2的饱和蒸汽，moo2cl2的存储装置加热温度为80℃，饱和蒸汽压力为0.45torr；沉积过程中，通入1000sccm-5000sccm的氩气和500sccm-4000sccm的氢气，射频功率为200w-700w，真空腔体内的压力设置为1torr-10torr，氩气作为载气将moo2cl2带入到真空腔体中进行沉积反应，沉积反应时间为30s-60s。
金属薄膜沉积和硅薄膜沉积过程中的温度大于等于400℃。
形成的硅薄膜的厚度为1nm-10nm。
所述真空腔体为化学气相沉积腔体。
沉积所述硅薄膜的方法为：于真空腔体内通入100sccm-600sccm的硅烷和1000sccm-5000sccm的氦气，真空腔体内的压力为1torr-10torr，射频功率为200w-700w，沉积时间为5s-30s。
